高导热氮化铝陶瓷基板

高导热氮化铝陶瓷基板

高导热氮化铝陶瓷晶片

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高导热氮化铝陶瓷基板

氮化铝陶瓷片 具有超过170W/m的高导热率. 钾, 高电阻率, 低介电损耗, 绝缘性好, 和其他一些优秀的属性. ALN基板是高频设备基板等大功率机械设备广泛的工业绝缘散热材料的最佳选择, 大功率晶体管模块基板, 高密度混合电路, 微波功率器件, 功率半导体器件, 电力电子设备, 光电元件, 激光半导体, 引领, 集成电路产品, 等等.

AlN 基板可以成为要求严格条件的电子应用中的最佳解决方案, 如电源模块 (MOSFET, IGBT), 用于冷却和保护电路的 LED 封装, 包裹, 和模块.


高导热氮化铝陶瓷基板

陶瓷晶片及基板规格

材料氮化铝 (氮化铝), 氧化铝(al2o3), 氧化锆(氧化锆), 氮化硅(氮化硅), 碳化硅(碳化硅)
铝液氮化硅陶瓷保护管灰色的, 黑色的, 白色的, 粉色的, 象牙, 淡黄色可用
尺寸能力外径可以是400mm, 厚度范围从 0.30mm 到 30mm
宽容外径可以是±0.01mm, 厚度可±0.005mm
表面处理:天然表面, 研磨, 类金刚石抛光, 金属化, 釉面的

AlN陶瓷晶片及基板的主要特点
1. 高导热性 (170 ~220) W/m.k, 比氧化铝高5~8.5倍
2. 与硅相似的热膨胀系数 (和), 有助于实现Si芯片的高可靠性
3. 高绝缘电阻和耐压强度, 但介电常数和介电损耗低
4. 机械强度高, 它高达 450MPa 和非常致密的陶瓷体无孔隙
5. 它提供非常高的纯度高达 99%, 而且它无毒并符合 RoHS, REACH法规

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