电子封装用氮化铝陶瓷基板
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电子封装用氮化铝陶瓷基板
这 氮化铝 (氮化铝) 陶瓷制品 具有高导热性(5-10 是氧化铝陶瓷的几倍), 低的
介电常数和损耗因数, 良好的绝缘性和优异的机械性能, 无毒,
高耐热性, 耐化学性 ,且线膨胀系数与Si相近,这是
广泛应用于通讯组件, 大功率led, 电力电子设备及其他
领域。可根据要求生产特殊规格产品.
产品性能
– 高导热性, 高抗弯强度, 高温
– 良好的电绝缘性
– 低介电常数和损耗
– 能够进行激光钻孔, 金属化, 电镀和钎焊
电子封装用氮化铝陶瓷基板
AlN基板/晶圆的常规尺寸 | ||||||||
厚度(毫米) | 长度宽度(毫米) | |||||||
0.385 | 2“* 2” 50.8*50.8 毫米 | 3“* 3” 76.2*76.2毫米 | 4“* 4” 101.6*101.6毫米 | 4.5“* 4.5” 114.3*114.3毫米 | ||||
0.5 | ||||||||
0.635 | ||||||||
1.0 | ||||||||
直径(毫米) | ||||||||
1.0 | Φ16 Φ19 | Φ20 Φ26 | Φ30 Φ35 | Φ40 Φ45 | Φ50 Φ52 | Φ60 | Φ75 | Φ80 |
附言: 未列出的其他尺寸可根据您的要求提供. | ||||||||
产品特点
1.均匀的微观结构
2.高导热性* (70-180 Wm-1K-1), 通过加工条件和添加剂定制
3.高电阻率
4.热膨胀系数接近硅
5.耐腐蚀和侵蚀
6.优异的抗热震性
7.在 H2 和 CO2 气氛中化学稳定性高达 980°C, 在高达 1380°C 的空气中 (表面氧化
发生在 780°C 左右; 表层保护块体高达 1380°C).
应用
– 射频 / 微波元件
– 功率模数
– 电力变压器
– 大功率LED封装
– 激光二极管底座
– LED 芯片底座
– 微电子封装
– 晶体管
– 高导热基板 LED用 & 电力电子
– 电力电子基板
氮化铝基板/晶圆的材料特性 | |
物业内容 | 物业指数 |
密度(克/立方厘米) | 3.335 |
抗热冲击 | 无裂缝 |
导热系数(30℃, W/m.k) | ≥170 |
线膨胀系数 (/℃, 5℃/分钟, 20-300℃) | 2.805×106 |
抗弯强度 (兆帕) | 382.7 |
体积电阻率 (Ω.cm) | 1.4×1014 |
介电常数(1兆赫) | 8.56 |
化学耐久性 (毫克/平方厘米) | 0.97 |
介电强度 (千伏/毫米) | 18.45 |
表面粗糙度Ra(微米) | 0.3~0.5 |
外倾角 (长度‰) | ≤2‰ |
外观/颜色 | 浓密/深灰色 |
笔记: 上述材料的一般特性来自 Innovacera 对样品数量进行的实验室测试. 生产批次的实际特征可能会有所不同. | |
