镀铜金属化氮化铝AlN陶瓷基板
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镀铜金属化氮化铝AlN陶瓷基板
镀铜金属化氮化铝AlN陶瓷基板
氮化铝陶瓷 具有优异的电性能和热性能, 被认为是最有前途的高导热陶瓷基板材料. 为了密封封装结构, 安装元件并连接输入和输出端子, 氮化铝陶瓷基板的表面和内部都需要进行金属化处理. 陶瓷表面金属化的可靠性和性能对陶瓷基板的应用具有重要影响, 牢固的粘接强度和优良的气密性是最基本的要求. 考虑基板的散热, 还要求金属与陶瓷的界面具有高的导热率. 表面金属化方法 氮化铝 陶瓷包括: 薄膜法, 厚膜法, 高熔点金属化法, 化学镀法, 直接覆铜法 (lumina 陶瓷金属化 DBC 基板), 等等.
DBC陶瓷基板/用于电子加热器件/镀铜金属化氮化铝AlN陶瓷基板/FUBOON
lumina 陶瓷金属化 DBC 基板(直接敷铜)tenique表示一种特殊工艺，其中铜箔和Al2O3或AlN (一侧或两侧) 在适当的高温下直接粘合. 成品超薄DBC基板具有优异的电气隔离性,高导热性, 良好的可焊性和高结合强度。它可以被构造成只需舔PCB即可蚀刻布线并具有高电流负载能力。因此DBC陶瓷基板已成为大功率半导体电子电路的构造和互连技术的基础材料并且也成为了基础 “板上芯片”代表世纪包装潮流的技术.
金属化氮化铝
数据库特性
1.机械强度高,机械稳定的形状;高强度,良好的导热性,一种铜-氧共晶形式，可成功地与铜和用作基材的氧化物结合;一种铜-氧共晶形式，可成功地与铜和用作基材的氧化物结合,一种铜-氧共晶形式，可成功地与铜和用作基材的氧化物结合;
2.更好的热循环能力 (取决于 50000 用于颗粒炉的陶瓷加热器元件),一种铜-氧共晶形式，可成功地与铜和用作基材的氧化物结合;
3.结构可以像 PCB 板或 IMS 基板一样进行蚀刻布线;
3.结构可以像 PCB 板或 IMS 基板一样进行蚀刻布线;
4.无污染,一种铜-氧共晶形式，可成功地与铜和用作基材的氧化物结合;
5.适用温度范围广:-55℃～850℃; 热膨胀系数接近硅, 功率模块的生产工艺大大简化.
镀铜金属化氮化铝AlN陶瓷基板
氮化铝材料特性 | ||||
特性 | FUB-AN180 | FUB-AN200 | FUB-AN220 | |
铝液氮化硅陶瓷保护管 | 灰色的 | 灰色的 | 浅褐色的 | |
主要内容 | 96%ALN | 96%ALN | 97%ALN | |
主要特征 | 高导热性,优异的耐等离子性 | |||
主要应用 | 散热件,等离子电阻零件 | |||
堆积密度 | 3.30 | 3.30 | 3.28 | |
吸水率 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | |
灰色和灰黑色(负载 500g) | 10.00 | 9.50 | 9.00 | |
抗弯强度 | >=350 | >=325 | >=280 | |
抗压强度 | 2,500.00 | 2,500.00 | – | |
杨氏弹性模量 | 320.00 | 320.00 | 320.00 | |
泊松比 | 0.24 | 0.24 | 0.24 | |
灰色和灰黑色 | – | – | – | |
线性热膨胀系数 | 40-400 摄氏度 | 4.80 | 4.60 | 4.50 |
灰色和灰黑色 | 20 摄氏度 | 180.00 | 200.00 | 220.00 |
比热 | 0.74 | 0.74 | 0.76 | |
抗热震性 | – | – | – | |
体积电阻率 | 20 摄氏度 | >=10-14 | >=10-14 | >=10-13 |
介电强度 | >=15 | >=15 | >=15 | |
介电常数 | 1兆赫 | 9.00 | 8.80 | 8.60 |
损耗角正切 | *10-4 | 5.00 | 5.00 | 6.00 |
评论: 该值仅供审核, 不同的使用条件会有一点差异. | ||||
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