Oblea de cerámica de nitruro de aluminio negro

Bola de cerámica de nitruro de aluminio.
Piezas de esparcidores de calor de nitruro de aluminio AlN de cerámica
Oblea de cerámica de nitruro de aluminio negro
Ceramic AlN Aluminium Nitride Parts Heat Spreaders Parts
Oblea de cerámica de nitruro de aluminio negro
Ceramic AlN Aluminium Nitride Parts Heat Spreaders Parts

Oblea de cerámica de nitruro de aluminio negro

Categorías: Etiquetas:
  • Descripción
  • Consulta

Hot Pressed Black Aluminum Nitride Ceramic Wafer

Nitruro de aluminio (AlN) es un material excelente para usar si se requieren propiedades de alta conductividad térmica y aislamiento eléctrico; lo que lo convierte en un material ideal para su uso en gestión térmica y aplicaciones eléctricas.. Además, AlN es una alternativa común al óxido de berilio (BeO) en la industria de semiconductores, ya que no supone un peligro para la salud cuando se mecaniza. El nitruro de aluminio tiene un coeficiente de expansión térmica y propiedades de aislamiento eléctrico que se asemejan mucho a los del material de oblea de silicio., lo que lo convierte en un material útil para aplicaciones electrónicas donde las altas temperaturas y la disipación de calor suelen ser un problema.
El nitruro de aluminio es uno de los pocos materiales que ofrece aislamiento eléctrico y alta conductividad térmica.. Esto hace que AlN sea extremadamente útil en aplicaciones electrónicas de alta potencia en aplicaciones de disipadores de calor y esparcidores de calor..

Prensado en caliente alumiunm nitride is used in applications requiring high electrical resistivity in additional to exceptional thermal conductivity.The application for hot pressed AlN typically involve rigorous or abrasive environments and high-tempreature thermal cycling.

Solicitud:
–Semiconductor Heaters –Etching Machine
Below is the properties of the pressed alumina nitride.
Propiedad
Unidades
Valor
Fuerza flexible, MOR (20 ° C)
MPa
300-460
Tenacidad a la fractura
MPa m1/2
2.75-6.0
Bola de rodamiento de cerámica de circonio (20 ° C)
W/m K
80-140
Coeficiente de expansión termal
1 x 10-6/°C
3.3-5.5
Temperatura máxima de uso
° C
800
Resistencia dieléctrica (6.35mm)
ac-kV/mm
16.0-19.7
Pérdida dieléctrica
1megahercio, 25 ° C
1 X 10-4 para 5 X 10-4
Resistividad de volumen (25° C)
Ω-cm
1013 para 1014

Solicitud

– RF / Componentes de microondas

– Módulo de potencia
- Transformadores de poder
– Paquete LED de alta potencia

– Submontajes de diodos láser

– Submontaje de chip LED
– Paquetes Microelectrónicos
– Transistores

– Sustratos de Alta Conductividad Térmica para LED & Electrónica de potencia

– Sustratos para Electrónica de Potencia

– Sustratos de Alta Conductividad Térmica para LED & Electrónica de potencia

– Sustratos para Electrónica de Potencia

Características del producto

1.Microestructura uniforme


2.Alta conductividad térmica* (70-180 Wm-1K-1), adaptado a través de condiciones de procesamiento y aditivos


3.Alta resistividad eléctrica


4.Coeficiente de dilatación térmica cercano al del silicio


5.Resistencia a la corrosión y erosión


6.Excelente resistencia al choque térmico

Contáctenos






Productos relacionados