Buje de tubo cerámico de nitruro de aluminio AlN

Buje de tubo cerámico de nitruro de aluminio AlN

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Buje de tubo cerámico de nitruro de aluminio AlN

Nitruro de aluminio (AlN) es un material excelente para usar si se requieren propiedades de alta conductividad térmica y aislamiento eléctrico; lo que lo convierte en un material ideal para su uso en gestión térmica y aplicaciones eléctricas.. Además, AlN es una alternativa común al óxido de berilio (BeO) en la industria de semiconductores, ya que no supone un peligro para la salud cuando se mecaniza.

El nitruro de aluminio tiene un coeficiente de expansión térmica y propiedades de aislamiento eléctrico que se asemejan mucho a los del material de oblea de silicio., lo que lo convierte en un material útil para aplicaciones electrónicas donde las altas temperaturas y la disipación de calor suelen ser un problema.
El nitruro de aluminio es uno de los pocos materiales que ofrece aislamiento eléctrico y alta conductividad térmica.. Esto hace que AlN sea extremadamente útil en aplicaciones electrónicas de alta potencia en aplicaciones de disipadores de calor y esparcidores de calor..
Mecanizado de nitruro de aluminio Precision Ceramics es su especialista en mecanizado de nitruro de aluminio para su creación de prototipos de cerámica técnica & necesidades de fabricación.
El nitruro de aluminio se puede mecanizar en verde., galleta, o estados completamente densos. Mientras que en forma verde o de galleta se puede mecanizar con relativa facilidad en geometrías complejas.. Sin embargo, El proceso de sinterización que se requiere para densificar completamente el material hace que el cuerpo de nitruro de aluminio se contraiga aproximadamente. 20%. Esta contracción significa que es imposible mantener tolerancias muy estrictas al mecanizar la presinterización de AlN..
Para lograr tolerancias muy estrictas, El material totalmente sinterizado debe mecanizarse/rectificarse con herramientas de diamante.. En este proceso se utiliza una herramienta/rueda recubierta de diamante muy precisa para desgastar el material hasta crear la forma deseada.. Debido a la tenacidad y dureza inherentes del material., Este puede ser un proceso costoso y que requiere mucho tiempo..
AlN comúnmente viene en sustratos de hasta 1 mm de espesor que se puede cortar fácilmente con láser. También puede venir en formas más espesas., sin embargo, Puede ser difícil/costoso fabricar en pequeñas cantidades si la pieza requiere material personalizado o un mecanizado significativo..
Nitruro de aluminio (AlN) es un material excelente para usar si se requieren propiedades de alta conductividad térmica y aislamiento eléctrico. Por sus cualidades, es un material ideal para su uso en gestión térmica y aplicaciones eléctricas.
Buje de tubo cerámico de nitruro de aluminio AlN
Algunas aplicaciones comunes del nitruro de aluminio incluyen las siguientes:
Disipadores de calor & esparcidores de calor
Aislantes eléctricos para láseres
Mandriles, anillos de sujeción para equipos de procesamiento de semiconductores
Aislantes eléctricos
Manipulación y procesamiento de obleas de silicio
Sustratos & aisladores para dispositivos microelectrónicos & dispositivos optoelectrónicos
Sustratos para paquetes electrónicos.
Portadores de chips para sensores y detectores
Chiplet
trampas
Componentes de gestión de calor láser
accesorios de metal fundido
Paquetes para dispositivos de microondas.
Propiedad
Bola de rodamiento de cerámica de circonio
Cerámica de nitruro de alúmina
Color
Gris
Propiedades mecánicas
Densidad
g/cm3
3.31
Fuerza compresiva
MPa
2100
Fuerza flexible
MPa
335
Dureza Vickers
GPa
11
Propiedades termales
Temperatura máxima
oxidante
° C
700
Inerte
° C
1300
Bola de rodamiento de cerámica de circonio
30
@ 25°C
W/mK
180
@ 300°C
W/mK
130
Coeficiente de Expansión
CET 25°C ➞ 100°C
10^-6/°C
3.6
CET 25°C ➞ 300°C
10^-6/°C
4.6
CET 25°C ➞ 500°C
10^-6/°C
5.2
CTE 25°C ➞ 1000°C
10^-6/°C
5.6
Calor especifico
100° C
750
Resistencia al choque térmico ΔT
° C
400
Propiedades electricas
Constante dieléctrica
1 megahercio
8.6
Resistencia dieléctrica
kV/mm
>15
Tangente de pérdida
1 megahercio
5×10^-4

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