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Sustrato cerámico de nitruro de alúmina
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Sustrato cerámico de nitruro de alúmina
Nitruro de aluminio (AlN) es un material excelente para usar si se requieren propiedades de alta conductividad térmica y aislamiento eléctrico; lo que lo convierte en un material ideal para su uso en gestión térmica y aplicaciones eléctricas.. Además, AlN es una alternativa común al óxido de berilio (BeO) en la industria de semiconductores, ya que no supone un peligro para la salud cuando se mecaniza. El nitruro de aluminio tiene un coeficiente de expansión térmica y propiedades de aislamiento eléctrico que se asemejan mucho a los del material de oblea de silicio., lo que lo convierte en un material útil para aplicaciones electrónicas donde las altas temperaturas y la disipación de calor suelen ser un problema.
El nitruro de aluminio es uno de los pocos materiales que ofrece aislamiento eléctrico y alta conductividad térmica.. Esto hace que AlN sea extremadamente útil en aplicaciones electrónicas de alta potencia en aplicaciones de disipadores de calor y esparcidores de calor..
Propiedad | Bola de rodamiento de cerámica de circonio | Cerámica de nitruro de alúmina |
color | grey | |
Propiedades mecánicas | ||
Densidad | g/cm3 | 3.31 |
Fuerza compresiva | MPa | 2100 |
Fuerza flexible | MPa | 335 |
Dureza Vickers | GPa | 11 |
Propiedades termales | ||
Temperatura máxima | ||
oxidante | ° C | 700 |
Inerte | ° C | 1300 |
Bola de rodamiento de cerámica de circonio | 30 | |
@ 25°C | W/mK | 180 |
@ 300°C | W/mK | 130 |
Coeficiente de Expansión | ||
CTE 25°C – 100° C | 10^-6/°C | 3.6 |
CTE 25°C – 300° C | 10^-6/°C | 4.6 |
CTE 25°C – 500° C | 10^-6/°C | 5.2 |
CTE 25°C – 1000° C | 10^-6/°C | 5.6 |
Calor especifico | 100° C | 750 |
Resistencia al choque térmico ΔT | ° C | 400 |
Propiedades electricas | ||
Constante dieléctrica | 1 megahercio | 8.6 |
Resistencia dieléctrica | kV/mm | >15 |
Tangente de pérdida | 1 megahercio | 5×10^-4 |
Solicitud
– RF / Componentes de microondas
– Módulo de potencia
- Transformadores de poder
– Paquete LED de alta potencia
– Submontajes de diodos láser
– Submontaje de chip LED
– Paquetes Microelectrónicos
– Transistores
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Características del producto
1.Microestructura uniforme
2.Alta conductividad térmica* (70-180 Wm-1K-1), adaptado a través de condiciones de procesamiento y aditivos
3.Alta resistividad eléctrica
4.Coeficiente de dilatación térmica cercano al del silicio
5.Resistencia a la corrosión y erosión
6.Excelente resistencia al choque térmico
7.Químicamente estable hasta 980°C en atmósferas de H2 y CO2, y en aire hasta 1380°C (oxidación superficial
ocurre alrededor de 780°C; la capa superficial protege la masa hasta 1380°C).
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