Foratura laser Foglio ceramico con piastra AlN in ceramica al nitruro di alluminio

Foratura laser Foglio ceramico con piastra AlN in ceramica al nitruro di alluminio

  • Descrizione
  • Inchiesta

Foratura laser Foglio ceramico con piastra AlN in ceramica al nitruro di alluminio

Il nitruro di alluminio è uno dei pochi materiali che offre isolamento elettrico e alta conducibilità termica. Ciò rende AlN estremamente utile in applicazioni elettroniche ad alta potenza in applicazioni di dissipatori di calore e dissipatori di calore.

Nitruro di alluminio (Al N) è un materiale eccellente da utilizzare se sono richieste elevate proprietà di conducibilità termica e isolamento elettrico. Per le sue qualità, è un materiale ideale per l'uso nella gestione termica e nelle applicazioni elettriche.
Alcune applicazioni comuni del nitruro di alluminio includono quanto segue:
Dissipatori di calore & spargitori di calore Isolatori elettrici per laser Mandrini, anelli di bloccaggio per apparecchiature per la lavorazione di semiconduttori Isolatori elettrici Manipolazione e lavorazione di wafer di silicio Substrati & isolanti per dispositivi microelettronici & dispositivi optoelettronici Substrati per pacchetti elettronici Supporti per chip per sensori e rilevatori Chip let Col let Componenti per la gestione del calore laser Fissaggi in metallo fuso Package per dispositivi a microonde.
Descrizione del prodotto
Products name
Laser drilling Aluminum Nitride Ceramic AlN Plate Ceramic Sheet/parts for insulating part
Meterial
Alumina nitride
Forma
quadrato
Anello di tenuta in ceramica di ossido di allumina
beige
si forma un eutettico rame-ossigeno che si lega con successo sia al rame che agli ossidi usati come substrati
3.2e facilita il trasporto del calore del metallo fuso nel tubo del gambo. Ciò può ridurre la temperatura dell'alluminio fuso e risparmiare sui costi energetici complessivi
Max temperature usage
1300Ra0.1
Moulding method
Isostatic compaction
Compresive strength
3800Mpa
Electrical insolation
Yes
Acid and alkali resistant
Yes
Conduttività termica
30W/mk
Applicazioni
Industrial substrate

customized aluminium nitride heat dissipation ceramic substrate/ceramic sheet/ ceramic substrate for circuit board

Applicazione: abrasion resistant lining patch; patch type electronic component substrate; computer accessories.
strong current, strong voltage, high temperature and easy wear parts of electronic appliances and mechanical equipment.

Physical properties: ● L'elevata prestazione di shock termico assicura tempi di lavoro lunghi durante il riscaldamento e il raffreddamento dell'alluminio fuso, shock resistance, resistenza alle alte temperature, resistenza all'usura, resistenza in allumina asta in ceramica

Specifiche
Alcune applicazioni comuni del nitruro di alluminio includono quanto segue: Dissipatori di calore & spargitori di calore Isolatori elettrici per laser Mandrini, anelli di bloccaggio per apparecchiature per la lavorazione di semiconduttori Isolatori elettrici Manipolazione e lavorazione di wafer di silicio Substrati & isolanti per dispositivi microelettronici & dispositivi optoelettronici Substrati per pacchetti elettronici Supporti per chip per sensori e rilevatori Chip let Col let Componenti per la gestione del calore laser Fissaggi in metallo fuso Package per dispositivi a microonde
Contenuto della proprietà
si forma un eutettico rame-ossigeno che si lega con successo sia al rame che agli ossidi usati come substrati
Indice delle proprietà
si forma un eutettico rame-ossigeno che si lega con successo sia al rame che agli ossidi usati come substrati
e facilita il trasporto del calore del metallo fuso nel tubo del gambo. Ciò può ridurre la temperatura dell'alluminio fuso e risparmiare sui costi energetici complessivi
≥3.30g/cm3
si forma un eutettico rame-ossigeno che si lega con successo sia al rame che agli ossidi usati come substrati
%
0
Conduttività termica
(20 Ra0.1,Con/m.k)
≥170
Coefficiente di dilatazione lineare
(RT-400℃,10-6)
4.4
Resistenza alla flessione
Mpa
≥330
Bulk resistance
oh cm
≥10^14
Costante dielettrica
MHz
9.0
Dissipation factor
MHz
3 X 10-4
rigidità dielettrica
si forma un eutettico rame-ossigeno che si lega con successo sia al rame che agli ossidi usati come substrati
≥15

 

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