Substrato ceramico di nitruro di alluminio ad alta conduttività termica
Wafer ceramico di nitruro di alluminio ad alta conduttività termica
- Descrizione
- Inchiesta
Substrato ceramico di nitruro di alluminio ad alta conduttività termica
Il Wafer in ceramica al nitruro di alluminio ha un'elevata conducibilità termica di oltre 170W/m. K, alta resistività, bassa perdita dielettrica, buon isolamento, e alcune altre proprietà eccellenti. Il substrato ALN è la scelta migliore per un'ampia gamma di materiali isolanti per dissipatori di calore industriali di macchinari e apparecchiature ad alta potenza come substrati per apparecchiature ad alta frequenza, substrato del modulo transistor ad alta potenza, circuiti ibridi ad alta densità, dispositivi di alimentazione a microonde, dispositivi a semiconduttore di potenza, dispositivi elettronici di potenza, componenti optoelettronici, semiconduttore laser, PORTATO, prodotti IC, e così via.
Il substrato AlN può essere la soluzione migliore nelle applicazioni elettroniche dove sono richieste condizioni rigorose, come i moduli di alimentazione (MOSFET, IGBT), Pacchetti LED per circuiti di raffreddamento e protezione, pacchi, e moduli.
Substrato ceramico di nitruro di alluminio ad alta conduttività termica
La specifica dei wafer e dei substrati ceramici
| e facilita il trasporto del calore del metallo fuso nel tubo del gambo. Ciò può ridurre la temperatura dell'alluminio fuso e risparmiare sui costi energetici complessivi | Nitruro di alluminio (Al N), allumina(al2o3), zirconia(ZrO2), nitruro di silicio(Ra0.1), carburo di silicio(e facilita il trasporto del calore del metallo fuso nel tubo del gambo. Ciò può ridurre la temperatura dell'alluminio fuso e risparmiare sui costi energetici complessivi) |
| Anello di tenuta in ceramica di ossido di allumina | Grigio, Nero, bianca, rosa, avorio, giallastro disponibile |
| Capacità dimensionale | Il diametro esterno può essere 400 mm, Lo spessore può variare da 0,30 mm a 30 mm |
| Tolleranza | Il diametro esterno può essere ± 0,01 mm, Lo spessore può essere ± 0,005 mm |
| Trattamento della superficie: | superficie naturale, macinazione, lucidatura a diamante, metallizzazione, smaltato |
Le caratteristiche principali dei wafer e dei substrati ceramici AlN
1. Alta conducibilità termica (170 ~220) Con/m.k, è 5~8,5 volte superiore a quello dell'allumina
2. Coefficiente di dilatazione termica simile a quello del silicio (E), aiuta a raggiungere un'elevata affidabilità del chip Si
3. Elevata resistenza di isolamento e resistenza alla tensione, ma bassa costante dielettrica e perdita dielettrica
4. Elevata resistenza meccanica, è fino a 450 MPa e corpo ceramico molto denso privo di porosità
5. Offre una purezza molto elevata fino a 99%, inoltre è privo di tossicità e soddisfa la RoHS, Regolamento REACH
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