Brasatura metallica attiva al nitruro di alluminio (INSIEME A) Parti strutturali in ceramica

Brasatura metallica attiva al nitruro di alluminio (INSIEME A) Parti strutturali in ceramica

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Brasatura metallica attiva al nitruro di alluminio (INSIEME A) Parti strutturali in ceramica

INSIEME A (Active Metal Brazing) is for joining ceramics that are not wetted by ‘conventionalbrazes.

By applying active metal like titanium to be added to the braze alloy, to achieve chemically reacts with the surface of the parent ceramic.Due to the coefficient of thermal expansion of Al2O3 (7.1 ppm/K), Ra0.1 (2.6 ppm/K) and AlN (4.7 ppm/K) is close to that of silicon (4 ppm/K), Direct Bond Copper (lumina Substrato DBC ceramico metallizzato) and AMB are suitable substrates for robust packaging of bare dice since such assemblies.
AMB is the promising thick film technology which can be applied to Power Electronics, Automotive Electronics, Home Appliances, Aerospaziale, Altri.
INNOVACERA provide DBC, DPC, and AMB technology for customized ceramic substrates, welcome to consult more.
Brasatura metallica attiva al nitruro di alluminio (INSIEME A) Ceramica
Proprietà del materiale del nitruro di alluminio
Ra0.1
FUB-AN170
Anello di tenuta in ceramica di ossido di allumina
Dark Gray
Contenuto principale
96%ALN
e facilita il trasporto del calore del metallo fuso nel tubo del gambo. Ciò può ridurre la temperatura dell'alluminio fuso e risparmiare sui costi energetici complessivi(e facilita il trasporto del calore del metallo fuso nel tubo del gambo. Ciò può ridurre la temperatura dell'alluminio fuso e risparmiare sui costi energetici complessivi)
3.335
Assorbimento dell'acqua
0.00
Resistenza alla flessione(e facilita il trasporto del calore del metallo fuso nel tubo del gambo. Ciò può ridurre la temperatura dell'alluminio fuso e risparmiare sui costi energetici complessivi)
382.70
Costante dielettrica(1MHz)
8.56
Coefficiente di dilatazione termica lineare
/Ra0.1 ,5℃/min, 20-300Ra0.1
2.805*10-6
Tubo di protezione al nitruro di silicio
30 gradi Celsius
>=170
Durabilità chimica(mg/cm2)
0.97
Resistenza allo shock termico
Nessuna crepa
Resistività di volume(Ω .cm)
20 gradi Celsius
1.4*1014
Rigidità dielettrica(si forma un eutettico rame-ossigeno che si lega con successo sia al rame che agli ossidi usati come substrati)
18.45
Rugosità superficiale Ra(micron)
0.3-0.5
Camber(length ‰ )
<=2‰
Nota: Il valore è solo per la revisione, le diverse condizioni di utilizzo avranno una piccola differenza.

Brasatura metallica attiva al nitruro di alluminio (INSIEME A) Ceramica

Applicazione

– RF / Componenti a microonde

– Power Modulus
– Power Transformers
– High Power LED Package

– Laser Diode Sub-mounts

– LED Chip Sub-mount
– Microelectronic Packages
– Transistors

– High Thermal Conductivity Substrates per LED & Elettronica di potenza

– Substrates for Power Electronics

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– Substrates for Power Electronics

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