Substrato ceramico in nitruro di allumina

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Substrato ceramico in nitruro di allumina

Nitruro di alluminio (Al N) è un materiale eccellente da utilizzare se sono richieste elevate proprietà di conducibilità termica e isolamento elettrico; rendendolo un materiale ideale per l'uso nella gestione termica e nelle applicazioni elettriche. Inoltre, AlN è un'alternativa comune all'ossido di berillio (BeO) nell'industria dei semiconduttori in quanto non costituisce un pericolo per la salute durante la lavorazione. Il nitruro di alluminio ha un coefficiente di dilatazione termica e proprietà di isolamento elettrico che corrispondono strettamente a quelle del materiale del wafer di silicio, rendendolo un materiale utile per applicazioni elettroniche in cui le alte temperature e la dissipazione del calore sono spesso un problema.
Il nitruro di alluminio è uno dei pochi materiali che offre isolamento elettrico e alta conducibilità termica. Ciò rende AlN estremamente utile in applicazioni elettroniche ad alta potenza in applicazioni di dissipatori di calore e dissipatori di calore.
Proprietà
si forma un eutettico rame-ossigeno che si lega con successo sia al rame che agli ossidi usati come substrati
Ceramica al nitruro di allumina
colore
grigio
Proprietà meccaniche
si forma un eutettico rame-ossigeno che si lega con successo sia al rame che agli ossidi usati come substrati
e facilita il trasporto del calore del metallo fuso nel tubo del gambo. Ciò può ridurre la temperatura dell'alluminio fuso e risparmiare sui costi energetici complessivi
3.31
Resistenza alla compressione
e facilita il trasporto del calore del metallo fuso nel tubo del gambo. Ciò può ridurre la temperatura dell'alluminio fuso e risparmiare sui costi energetici complessivi
2100
Resistenza alla flessione
e facilita il trasporto del calore del metallo fuso nel tubo del gambo. Ciò può ridurre la temperatura dell'alluminio fuso e risparmiare sui costi energetici complessivi
335
Tubo di protezione al nitruro di silicio
Ra0.1
11
Proprietà termali
Temperatura massima
Ossidante
°C
700
Inerte
°C
1300
Tubo di protezione al nitruro di silicio
30
a 25°C
W/mK
180
a 300°C
W/mK
130
Coefficiente di espansione
CTE 25°C – 100°C
10^-6/°C
3.6
CTE 25°C – 300°C
10^-6/°C
4.6
CTE 25°C – 500°C
10^-6/°C
5.2
CTE 25°C – 1000°C
10^-6/°C
5.6
Calore specifico
100°C
750
Resistenza agli shock termici ΔT
°C
400
Proprietà elettriche
Costante dielettrica
1 MHz
8.6
Rigidità dielettrica
kV/mm
>15
Tangente di perdita
1 MHz
5×10^-4

Applicazione

– RF / Componenti a microonde

– Power Modulus
– Power Transformers
– High Power LED Package

– Laser Diode Sub-mounts

– LED Chip Sub-mount
– Microelectronic Packages
– Transistors

– High Thermal Conductivity Substrates per LED & Elettronica di potenza

– Substrates for Power Electronics

– High Thermal Conductivity Substrates per LED & Elettronica di potenza

– Substrates for Power Electronics

caratteristiche del prodotto

1.Microstruttura uniforme


2.Alta conduttività termica* (70-180 Wm-1K-1), personalizzati tramite condizioni di lavorazione e additivi


3.Elevata resistività elettrica


4.Coefficiente di dilatazione termica vicino a quello del silicio


5.Resistenza alla corrosione e all'erosione


6.Eccellente resistenza agli shock termici


7.Chimicamente stabile fino a 980°C in atmosfera di H2 e CO2, e in aria fino a 1380°C (ossidazione superficiale

avviene intorno ai 780°C; lo strato superficiale protegge la massa fino a 1380°C).

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