Hot-pressing Aluminum Nitride heater Cover Plate

Hot-pressing Aluminum Nitride heater Cover Plate

  • Sự miêu tả
  • Cuộc điều tra

Hot-pressing Aluminum Nitride heater Cover Plate

Hot-pressing Aluminum Nitride heater Cover Plate with thinnest thickness 0.75mm.

1.The material is very difficult to machine due to the high hardness and brittle, so it is very easily to have chips or scratches when handling or machining which lead to very high rejection rate.

2.Hot pressing aluminum nitride ceramics are sintered by vacuum hot pressing, the sintering process is more difficult than pressureless sintering. The aluminum nitride purity is up to 99.5%(without any sintering additives), and density after hot pressing reaches 3.3g/cm3, it also has excellent thermal conductivity and high electrical insulation. The thermal conductivity can be from 90 với(tôi·k) đến 210 với(tôi·k).

3.The thinnest thickness only 0.75mm which is also difficult to machine.

The application of the Hot-pressing Aluminum Nitride heater Cover Plate
-Cover plate heater for semiconductor
Cover plates and MRI equipment(Magnetic Resonance Imaging)
-High-power detectors, plasma generators, military radios
-Electrostatic chucks and heating plates for semiconductors and integrated circuits
Infrared and microwave window material

Material Features

1.Uniform microstructure


2.High thermal conductivity* (70-180 Wm-1K-1), tailored via processing conditions and additives


3.Điện trở suất cao


4.Thermal expansion coefficient close to that of Silicon


5.Resistance to corrosion and erosion


6.Excellent thermal shock resistance


7.Chemically stable up to 980°C in H2 and CO2 atmospheres, and in air up to 1380°C (surface oxidation

occurs around 780°C; the surface layer protects the bulk up to 1380°C).

Typical Specification:

Purity:>99%
Mỗi zirconia ổn định cung cấp các đặc tính riêng biệt và cụ thể đáp ứng nhu cầu của các ứng dụng khắc nghiệt được tìm thấy trong nhiều ngành công nghiệp:>3.3 g / cm3
Compress Strength:>3,350MPa
Lực bẻ cong:380MPa
Dẫn nhiệt:>90với(tôi·K)
Hệ số giãn nở nhiệt:5.0 x 10-6/K
Max. Temp:1,800° C
Điện trở suất:7×1012 Ω·cm
Độ bền điện môi:15 kV / mm
Nitrua nhôm (AlN) là một vật liệu tuyệt vời để sử dụng nếu yêu cầu tính chất dẫn nhiệt và cách điện cao; making it an ideal material for use in thermal management and electrical applications. Ngoài ra, AlN is a common alternative to Beryllium Oxide (BeO) in the semiconductor industry as it is not a health hazard when machined. Aluminum Nitride has a coefficient of thermal expansion and electrical insulation properties that closely matches that of Silicon wafer material, làm cho nó trở thành một vật liệu hữu ích cho các ứng dụng điện tử nơi nhiệt độ cao và tản nhiệt thường là một vấn đề.
Nhôm Nitride là một trong số ít vật liệu có khả năng cách điện và dẫn nhiệt cao. Điều này làm cho AlN cực kỳ hữu ích trong các ứng dụng điện tử công suất cao trong các ứng dụng tản nhiệt và tản nhiệt.

Liên hệ chúng tôi