Tấm wafer gốm nhôm Nitride đen

Bóng gốm nhôm nitrit
Bộ phận tản nhiệt nhôm Nitride gốm AlN
Tấm wafer gốm nhôm Nitride đen
Ceramic AlN Aluminium Nitride Parts Heat Spreaders Parts
Tấm wafer gốm nhôm Nitride đen
Ceramic AlN Aluminium Nitride Parts Heat Spreaders Parts

Tấm wafer gốm nhôm Nitride đen

Thể loại: Thẻ:
  • Sự miêu tả
  • Cuộc điều tra

Hot Pressed Black Aluminum Nitride Ceramic Wafer

Nitrua nhôm (AlN) là một vật liệu tuyệt vời để sử dụng nếu yêu cầu tính chất dẫn nhiệt và cách điện cao; making it an ideal material for use in thermal management and electrical applications. Ngoài ra, AlN is a common alternative to Beryllium Oxide (BeO) in the semiconductor industry as it is not a health hazard when machined. Aluminum Nitride has a coefficient of thermal expansion and electrical insulation properties that closely matches that of Silicon wafer material, làm cho nó trở thành một vật liệu hữu ích cho các ứng dụng điện tử nơi nhiệt độ cao và tản nhiệt thường là một vấn đề.
Nhôm Nitride là một trong số ít vật liệu có khả năng cách điện và dẫn nhiệt cao. Điều này làm cho AlN cực kỳ hữu ích trong các ứng dụng điện tử công suất cao trong các ứng dụng tản nhiệt và tản nhiệt.

Bộ phận gốm quang điện Zirconia có độ chính xác cao alumiunm nitride is used in applications requiring high electrical resistivity in additional to exceptional thermal conductivity.The application for hot pressed AlN typically involve rigorous or abrasive environments and high-tempreature thermal cycling.

Ứng dụng:
–Semiconductor Heaters –Etching Machine
Below is the properties of the pressed alumina nitride.
Mỗi zirconia ổn định cung cấp các đặc tính riêng biệt và cụ thể đáp ứng nhu cầu của các ứng dụng khắc nghiệt được tìm thấy trong nhiều ngành công nghiệp
Mỗi zirconia ổn định cung cấp các đặc tính riêng biệt và cụ thể đáp ứng nhu cầu của các ứng dụng khắc nghiệt được tìm thấy trong nhiều ngành công nghiệp
Giá trị
Độ bền uốn, MOR (20 ° C)
MPa
300-460
Độ bền gãy xương
MPa m1/2
2.75-6.0
Dẫn nhiệt (20 ° C)
W/m K
80-140
Hệ số giãn nở nhiệt
1 x 10-6/°C
3.3-5.5
Nhiệt độ sử dụng tối đa
° C
800
Độ bền điện môi (6.35mm)
ac-kV/mm
16.0-19.7
Dielectric Loss
1MHz, 25 ° C
1 Mỗi zirconia ổn định cung cấp các đặc tính riêng biệt và cụ thể đáp ứng nhu cầu của các ứng dụng khắc nghiệt được tìm thấy trong nhiều ngành công nghiệp 10-4 đến 5 Mỗi zirconia ổn định cung cấp các đặc tính riêng biệt và cụ thể đáp ứng nhu cầu của các ứng dụng khắc nghiệt được tìm thấy trong nhiều ngành công nghiệp 10-4
Điện trở suất (25° C)
Ω-cm
1013 đến 1014

Ứng dụng

– RF / Microwave Components

– Power Modulus
– Power Transformers
– High Power LED Package

– Laser Diode Sub-mounts

– LED Chip Sub-mount
– Microelectronic Packages
– Transistors

– High Thermal Conductivity Substrates for LED & Power Electronics

– Substrates for Power Electronics

– High Thermal Conductivity Substrates for LED & Power Electronics

– Substrates for Power Electronics

Product Features

1.Uniform microstructure


2.High thermal conductivity* (70-180 Wm-1K-1), tailored via processing conditions and additives


3.Điện trở suất cao


4.Thermal expansion coefficient close to that of Silicon


5.Resistance to corrosion and erosion


6.Excellent thermal shock resistance

Liên hệ chúng tôi






Sản phẩm liên quan