Placa de cobertura do aquecedor de nitreto de alumínio de prensagem a quente

Placa de cobertura do aquecedor de nitreto de alumínio de prensagem a quente

  • Descrição
  • Investigação

Placa de cobertura do aquecedor de nitreto de alumínio de prensagem a quente

Hot-pressing Aluminum Nitride heater Cover Plate with thinnest thickness 0.75mm.

1.The material is very difficult to machine due to the high hardness and brittle, so it is very easily to have chips or scratches when handling or machining which lead to very high rejection rate.

2.Hot pressing aluminum nitride ceramics are sintered by vacuum hot pressing, the sintering process is more difficult than pressureless sintering. The aluminum nitride purity is up to 99.5%(without any sintering additives), and density after hot pressing reaches 3.3g/cm3, it also has excellent thermal conductivity and high electrical insulation. The thermal conductivity can be from 90 C/(BOMBA DE ENCHIMENTO CERÂMICO FUBOON·k) para 210 C/(BOMBA DE ENCHIMENTO CERÂMICO FUBOON·k).

3.The thinnest thickness only 0.75mm which is also difficult to machine.

The application of the Hot-pressing Aluminum Nitride heater Cover Plate
-Cover plate heater for semiconductor
Cover plates and MRI equipment(Magnetic Resonance Imaging)
-High-power detectors, plasma generators, military radios
-Electrostatic chucks and heating plates for semiconductors and integrated circuits
Infrared and microwave window material

Material Features

1.″* 4″


2.″* 4″ (70-180 Wm-1K-1), ″* 4″


3.″* 4″


4.″* 4″


5.″* 4″


6.″* 4″


7.″* 4″, ″* 4″ (″* 4″

″* 4″; ″* 4″).

Typical Specification:

Purity:>99%
Densidade:>3.3 g / cm3
Compress Strength:>3,350MPa
Força de flexão:380MPa
Condutividade térmica:>90C/(BOMBA DE ENCHIMENTO CERÂMICO FUBOON·k)
Coeficiente de expansão térmica:5.0 x 10-6/K
Máx.. Temp:1,800° C
Resistividade volumétrica:7×1012 Ω·cm
Rigidez dielétrica:15 kV/mm
Nitreto de Alumínio (AlN) é um excelente material para usar se for necessária alta condutividade térmica e propriedades de isolamento elétrico; making it an ideal material for use in thermal management and electrical applications. Adicionalmente, AlN is a common alternative to Beryllium Oxide (Leopardo) in the semiconductor industry as it is not a health hazard when machined. Aluminum Nitride has a coefficient of thermal expansion and electrical insulation properties that closely matches that of Silicon wafer material, tornando-o um material útil para aplicações eletrônicas onde altas temperaturas e dissipação de calor são frequentemente um problema.
O nitreto de alumínio é um dos poucos materiais que oferece isolamento elétrico e alta condutividade térmica. Isso torna o AlN extremamente útil em aplicações eletrônicas de alta potência em aplicações de dissipador de calor e dissipador de calor.

Entre em contato conosco