Substrato DPC metalizado cerâmico de nitreto de alumínio AlN com revestimento Au/Cu
- Descrição
- Investigação
Aluminum Nitride Ceramic Metallized DPC Substrate with Au/Cu Coating
Aluminum Nitride Ceramic Metallized DPC Substrate
Mainly by evaporation, magnetron sputtering and other surface deposition process to carry on the substrate surface metallization, first under the condition of vacuum sputtering, titanium, and then is copper particles, the plating thickness, then finish making line with ordinary PCB craft, and then to plating/electroless deposition way to increase the thickness of the line, the preparation of DPC way contains vacuum coating, wet deposition,Exposure development, etching and other processes.
Aluminum Nitride Ceramic Metallized DPC Substrate
Aluminium Nitride Material Properties | ||||
Propriedades | FUB-AN180 | FUB-AN200 | FUB-AN220 | |
dissipadores de calor para sistemas de iluminação | Cinza | Cinza | Beige | |
Main Content | 96%ALN | 96%ALN | 97%ALN | |
Main Characteristics | Alta condutividade térmica,Excellent Plasma Resistance | |||
Main Applications | Heat Dissipating Parts,Plasma Resistance Parts | |||
Densidade aparente | 3.30 | 3.30 | 3.28 | |
Absorção de água | 0.00 | 0.00 | 0.00 | |
Dureza Vickers(Carregar 500g) | 10.00 | 9.50 | 9.00 | |
Resistência à Flexão | >=350 | >=325 | >=280 | |
Força compressiva | 2,500.00 | 2,500.00 | – | |
Young’ Modulus of Elasticity | 320.00 | 320.00 | 320.00 | |
Razão de Poisson | 0.24 | 0.24 | 0.24 | |
Tenacidade à Fratura | – | – | – | |
Coefficient Linear Thermal Expansion | 40-400 degree Celsius | 4.80 | 4.60 | 4.50 |
Condutividade térmica | 20 degree Celsius | 180.00 | 200.00 | 220.00 |
Calor específico | 0.74 | 0.74 | 0.76 | |
Thermal Shocking Resistance | – | – | – | |
Resistividade volumétrica | 20 degree Celsius | >=10-14 | >=10-14 | >=10-13 |
Rigidez dielétrica | >=15 | >=15 | >=15 | |
Constante dielétrica | 1MHz | 9.00 | 8.80 | 8.60 |
Tangente de Perda | *10-4 | 5.00 | 5.00 | 6.00 |
Observação: The value is just for review, different using conditions will have a little difference. |
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