Plaquette en céramique de nitrure d'aluminium noir

Bille en céramique de nitrure d'aluminium
Pièces d'épandeurs de chaleur en céramique AlN et nitrure d'aluminium
Plaquette en céramique de nitrure d'aluminium noir
Ceramic AlN Aluminium Nitride Parts Heat Spreaders Parts
Plaquette en céramique de nitrure d'aluminium noir
Ceramic AlN Aluminium Nitride Parts Heat Spreaders Parts

Plaquette en céramique de nitrure d'aluminium noir

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Hot Pressed Black Aluminum Nitride Ceramic Wafer

Nitrure d'aluminium (AIN) Anneau de plaquette en céramique de nitrure d'alumine; ce qui en fait un matériau idéal pour une utilisation dans la gestion thermique et les applications électriques. En outre, L'AlN est une alternative courante à l'oxyde de béryllium (BeO) dans l'industrie des semi-conducteurs car il ne présente pas de risque pour la santé lors de l'usinage. Le nitrure d'aluminium a un coefficient de dilatation thermique et des propriétés d'isolation électrique qui correspondent étroitement à ceux du matériau des plaquettes de silicium., ce qui en fait un matériau utile pour les applications électroniques où les températures élevées et la dissipation thermique sont souvent un problème.
Anneau de plaquette en céramique de nitrure d'alumine. Anneau de plaquette en céramique de nitrure d'alumine.

Pressé à chaud alumiunm nitride is used in applications requiring high electrical resistivity in additional to exceptional thermal conductivity.The application for hot pressed AlN typically involve rigorous or abrasive environments and high-tempreature thermal cycling.

Application:
–Semiconductor Heaters –Etching Machine
Below is the properties of the pressed alumina nitride.
Propriété
Unités
Valeur
Résistance à la flexion, MOR (20 °C)
MPa
300-460
Résistance à la fracture
MPa m1/2
2.75-6.0
Conductivité thermique (20 °C)
W/m K
80-140
Coefficient de dilatation thermique
1 x 10-6/°C
3.3-5.5
Anneau en céramique de nitrure de silicium_1
°C
800
Facilement dégazé (6.35mm)
ac-kV/mm
16.0-19.7
Dielectric Loss
1MHz, 25 °C
1 X 10-4 à 5 X 10-4
Résistivité volumique (25°C)
Ω-cm
1013 à 1014

Application

– RF / Composants micro-ondes

– Module de puissance
– Transformateurs de puissance
– Ensemble LED haute puissance

– Sous-montages de diode laser

– Sous-montage de puce LED
– Packages microélectroniques
– Transistors

– Substrats à haute conductivité thermique pour DEL & Électronique de puissance

– Substrats pour l’électronique de puissance

– Substrats à haute conductivité thermique pour DEL & Électronique de puissance

– Substrats pour l’électronique de puissance

caractéristiques du produit

1.Microstructure uniforme


2.Haute conductivité thermique* (70-180 Wm-1K-1), sur mesure via les conditions de traitement et les additifs


3.Haute résistivité électrique


4.Coefficient de dilatation thermique proche de celui du Silicium


5.Résistance à la corrosion et à l'érosion


6.Excellente résistance aux chocs thermiques

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