Substrat céramique en nitrure d'alumine

Douille de tube en céramique de nitrure d'aluminium AlN
Réchauffeur en céramique de nitrure d'aluminium
substrat céramique de nitrure d'alumine
substrat céramique de nitrure d'alumine 3
substrat céramique de nitrure d'alumine
substrat céramique de nitrure d'alumine 3

Substrat céramique en nitrure d'alumine

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Substrat céramique en nitrure d'alumine

Nitrure d'aluminium (AIN) Anneau de plaquette en céramique de nitrure d'alumine; ce qui en fait un matériau idéal pour une utilisation dans la gestion thermique et les applications électriques. En outre, L'AlN est une alternative courante à l'oxyde de béryllium (BeO) dans l'industrie des semi-conducteurs car il ne présente pas de risque pour la santé lors de l'usinage. Le nitrure d'aluminium a un coefficient de dilatation thermique et des propriétés d'isolation électrique qui correspondent étroitement à ceux du matériau des plaquettes de silicium., ce qui en fait un matériau utile pour les applications électroniques où les températures élevées et la dissipation thermique sont souvent un problème.
Anneau de plaquette en céramique de nitrure d'alumine. Anneau de plaquette en céramique de nitrure d'alumine.
Propriété
Unité
isolateurs pour dispositifs microélectroniques
couleur
gris
Propriétés mécaniques
Densité
g/cm3
3.31
Résistance à la compression
MPa
2100
Résistance à la flexion
MPa
335
piles à combustible à oxyde solide
Excellent physique
11
Propriétés thermiques
isolateurs pour dispositifs microélectroniques
isolateurs pour dispositifs microélectroniques
°C
700
isolateurs pour dispositifs microélectroniques
°C
1300
Conductivité thermique
30
isolateurs pour dispositifs microélectroniques
isolateurs pour dispositifs microélectroniques
180
isolateurs pour dispositifs microélectroniques
isolateurs pour dispositifs microélectroniques
130
isolateurs pour dispositifs microélectroniques
ETC 25°C – 100°C
10isolateurs pour dispositifs microélectroniques
3.6
ETC 25°C – 300°C
10isolateurs pour dispositifs microélectroniques
4.6
ETC 25°C – 500°C
10isolateurs pour dispositifs microélectroniques
5.2
ETC 25°C – 1000°C
10isolateurs pour dispositifs microélectroniques
5.6
Chaleur spécifique
100°C
750
isolateurs pour dispositifs microélectroniques
°C
400
isolateurs pour dispositifs microélectroniques
Constante diélectrique
1 MHz
8.6
Facilement dégazé
isolateurs pour dispositifs microélectroniques
>15
isolateurs pour dispositifs microélectroniques
1 MHz
5×10isolateurs pour dispositifs microélectroniques

Application

– RF / Composants micro-ondes

– Module de puissance
– Transformateurs de puissance
– Ensemble LED haute puissance

– Sous-montages de diode laser

– Sous-montage de puce LED
– Packages microélectroniques
– Transistors

– Substrats à haute conductivité thermique pour DEL & Électronique de puissance

– Substrats pour l’électronique de puissance

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caractéristiques du produit

1.Microstructure uniforme


2.Haute conductivité thermique* (70-180 Wm-1K-1), sur mesure via les conditions de traitement et les additifs


3.Haute résistivité électrique


4.Coefficient de dilatation thermique proche de celui du Silicium


5.Résistance à la corrosion et à l'érosion


6.Excellente résistance aux chocs thermiques


7.Chimiquement stable jusqu'à 980°C en atmosphères H2 et CO2, et dans l'air jusqu'à 1380°C (oxydation superficielle

se produit autour de 780°C; la couche superficielle protège le vrac jusqu'à 1380°C).

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