لوحة غطاء سخان نيتريد الألومنيوم بالضغط الساخن

لوحة غطاء سخان نيتريد الألومنيوم بالضغط الساخن

  • وصف
  • سؤال

لوحة غطاء سخان نيتريد الألومنيوم بالضغط الساخن

Hot-pressing Aluminum Nitride heater Cover Plate with thinnest thickness 0.75mm.

1.The material is very difficult to machine due to the high hardness and brittle, so it is very easily to have chips or scratches when handling or machining which lead to very high rejection rate.

2.Hot pressing aluminum nitride ceramics are sintered by vacuum hot pressing, the sintering process is more difficult than pressureless sintering. The aluminum nitride purity is up to 99.5%(without any sintering additives), and density after hot pressing reaches 3.3g/cm3, it also has excellent thermal conductivity and high electrical insulation. The thermal conductivity can be from 90 ث /(م·ك) إلى 210 ث /(م·ك).

3.The thinnest thickness only 0.75mm which is also difficult to machine.

The application of the Hot-pressing Aluminum Nitride heater Cover Plate
-Cover plate heater for semiconductor
Cover plates and MRI equipment(Magnetic Resonance Imaging)
-High-power detectors, plasma generators, military radios
-Electrostatic chucks and heating plates for semiconductors and integrated circuits
Infrared and microwave window material

Material Features

1.بنية مجهرية موحدة


2.الموصلية الحرارية العالية * (70-180 وم -1 ك -1), مصممة حسب ظروف المعالجة والإضافات


3.مقاومة كهربائية عالية


4.معامل التمدد الحراري قريب من معامل التمدد الحراري للسيليكون


5.مقاومة التآكل والتآكل


6.مقاومة ممتازة للصدمات الحرارية


7.مستقر كيميائيًا حتى 980 درجة مئوية في أجواء H2 و CO2, وفي الهواء حتى 1380 درجة مئوية (أكسدة السطح

يحدث حوالي 780 درجة مئوية; الطبقة السطحية تحمي الكتلة حتى 1380 درجة مئوية).

Typical Specification:

Purity:>99%
كثافة:>3.3 ز / سم 3
Compress Strength:>3,350الآلام والكروب الذهنية
قوة الانحناء:380الآلام والكروب الذهنية
توصيل حراري:>90ث /(م·ك)
معامل التمدد الحراري:5.0 x 10-6/K
الأعلى. Temp:1,800درجة مئوية
حجم المقاومة:7×1012 Ω·سم
قوة عازلة:15 كيلو فولت / مم
نيتريد الألومنيوم (AlN) هي مادة ممتازة للاستخدام إذا كانت الموصلية الحرارية العالية وخصائص العزل الكهربائي مطلوبة; مما يجعلها مادة مثالية للاستخدام في الإدارة الحرارية والتطبيقات الكهربائية. Additionally, AlN is a common alternative to Beryllium Oxide (BeO) in the semiconductor industry as it is not a health hazard when machined. Aluminum Nitride has a coefficient of thermal expansion and electrical insulation properties that closely matches that of Silicon wafer material, مما يجعلها مادة مفيدة للتطبيقات الإلكترونية حيث غالبًا ما تكون درجات الحرارة المرتفعة وتبديد الحرارة مشكلة.
نيتريد الألومنيوم هو أحد المواد القليلة التي توفر العزل الكهربائي والتوصيل الحراري العالي. هذا يجعل AlN مفيدًا للغاية في التطبيقات الإلكترونية عالية الطاقة في تطبيقات المشتت الحراري والمشتت الحراري.

اتصل بنا